Name: CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44351-2-ND
Price: 1.5367 EUR
Availability: OutOfStock

CSD19537Q3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

Texas Instruments

En stock: 158

Precio por unidad : 1,54000 €

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : 0,00000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

CSD19537Q3
N.º de producto de DigiKey	296-44351-2-ND - Cinta y rollo (TR) 296-44351-1-ND - Cinta cortada (CT) 296-44351-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD19537Q3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD19537Q3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1680 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	CSD19537