Name: IRF610LPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF610LPBF-ND
Price: 0.8286 EUR
Availability: OutOfStock

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IRF610LPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF610LPBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRF610LPBF
Descripción	MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) I2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.5Ohm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	140 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base	IRF610

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