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PG-TO220-3-1
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IPP60R099CPXKSA1

N.º de producto de DigiKey
IPP60R099CPXKSA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPP60R099CPXKSA1
Descripción
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 31A (Tc) 255W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IPP60R099CPXKSA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
31A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
99mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2800 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IPP60R099
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1003,16920 €316,92 €
5002,63022 €1.315,11 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
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Precio unitario con IVA:6,42510 €