SQP120N06-06_GE3 {Vishay | {Transistores - FET, MOSFET - Individual

SQP120N06-06_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQP120N06-06_GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQP120N06-06_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 119A (Tc) 175W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQP120N06-06_GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	119A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6495 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	SQP120