Name: SQA413CEJW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQA413CEJW-T1_GE3TR-ND
Price: 0.7018 EUR
Availability: OutOfStock

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SQA413CEJW-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQA413CEJW-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQA413CEJW-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQA413CEJW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQA413CEJW-T1_GE3
Descripción	AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie, lateral humedecible 20 V 7.5A (Tc) 13.6W (Tc) PowerPAK®SC-70W-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQA413CEJW-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	38mOhm a 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1350 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	13.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK®SC-70W-6
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base	SQA413