Name: SIR1309DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9317 EUR
Availability: OutOfStock

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SIR1309DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIR1309DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIR1309DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIR1309DP-T1-GE3
Descripción	P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIR1309DP-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.3mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3250 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8