SI1024X-T1-GE3 {Vishay | {Transistores - FET - MOSFET - Matrices

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SI1024X-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI1024X-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI1024X-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI1024X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1024X-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 485mA 250mW Montaje en superficie SC-89 (SOT-563F)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI1024X-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	485mA
Rds On (máx) @ Id, Vgs	700mOhm a 600mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.75nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	-
Potencia - Máx.	250mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-89 (SOT-563F)
Número de producto base	SI1024

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