Name: IRFBE30SPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE30SPBF-ND
Price: 3.4243 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFBE30SPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFBE30SPBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRFBE30SPBF
Descripción	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFBE30SPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3Ohm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRFBE30

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1	2,83000 €	2,83 €
50	1,33860 €	66,93 €
100	1,31240 €	131,24 €
500	1,27016 €	635,08 €
1.000	1,23309 €	1.233,09 €

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