Name: CSD17576Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD17576Q5BTTR-ND
Price: 1.9723 EUR
Availability: InStock

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CSD17576Q5BT
N.º de producto de DigiKey	296-CSD17576Q5BTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 296-CSD17576Q5BTCT-ND - Cinta cortada (CT) 296-CSD17576Q5BTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD17576Q5BT
Descripción	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 8-VSONP (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD17576Q5BT Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	32 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4430 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	CSD17576Q5