Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-6197-3-ND
Price: 1.1374 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

STQ1NK80ZR-AP
N.º de producto de DigiKey	497-6197-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-6197-3-ND - Cinta y caja
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STQ1NK80ZR-AP
Descripción	MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) TO-92-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STQ1NK80ZR-AP Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Embalaje	Cinta cortada (CT) Cinta y caja
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	300mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	160 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores formados TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base	STQ1NK80