Name: STH180N10F3-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-11216-2-ND
Price: 6.1468 EUR
Availability: OutOfStock

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STH180N10F3-2
N.º de producto de DigiKey	497-11216-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-11216-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-11216-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH180N10F3-2
Descripción	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STH180N10F3-2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ III
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	180A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.5mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	114.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6665 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STH180

Precio unitario sin IVA:	5,08000 €
Precio unitario con IVA:	6,14680 €

STH180N10F3-2