Name: STD4NK100Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16035-2-ND
Price: 3.2791 EUR
Availability: OutOfStock

STD4NK100Z está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

IXYS

En stock: 0

Precio por unidad : 3,78000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

STD4NK100Z
N.º de producto de DigiKey	497-16035-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-16035-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-16035-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STD4NK100Z
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1000 V 2.2A (Tc) 90W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STD4NK100Z Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.8Ohm a 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	601 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	STD4NK100