Name: SCTWA90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA90N65G2V-ND
Price: 29.3062 EUR
Availability: OutOfStock

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SCTWA90N65G2V
N.º de producto de DigiKey	497-SCTWA90N65G2V-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCTWA90N65G2V
Descripción	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) TO-247 conductores largos
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCTWA90N65G2V Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	119A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	24mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3380 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	565W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 conductores largos
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	SCTWA90

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