Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 1.4883 EUR
Availability: OutOfStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

RQ7E110AJTCR
N.º de producto de DigiKey	RQ7E110AJTCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ7E110AJTCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ7E110AJTCR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 11A (Tc) 1.5W (Tc) TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ7E110AJTCR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9mOhm a 4.5A, 11V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2410 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Número de producto base	RQ7E110