Name: HP8MC5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HP8MC5TB1TR-ND
Price: 2.057 EUR
Availability: OutOfStock

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HP8MC5TB1
N.º de producto de DigiKey	846-HP8MC5TB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-HP8MC5TB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-HP8MC5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	HP8MC5TB1
Descripción	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Montaje en superficie 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	90mOhm a 4.5A, 10V, 96mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.1nC a 10V, 17.3nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	135pF a 30V, 850pF a 30V
Potencia - Máx.	3W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP