RJK6002DPD-00#J2 Renesas Corporation | Single

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RJK6002DPD-00#J2
N.º de producto de DigiKey	RJK6002DPD-00#J2-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RJK6002DPD-00#J2
Descripción	MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 2A (Ta) 30W (Tc) MP-3A
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RJK6002DPD-00#J2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.8Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	165 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	MP-3A
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	RJK6002

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Fecha de la última compra: 31/3/2026