


ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
Plazo estándar del fabricante | 18 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaje en superficie PG-WHITFN-10-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 19A (Ta), 139A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 4mOhm a 50A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.8V a 85µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 78nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4800pF a 50V | |
Potencia - Máx. | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 10-PowerWDFN | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-WHITFN-10-1 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 4,85000 € | 4,85 € |
| 10 | 3,23600 € | 32,36 € |
| 100 | 2,32280 € | 232,28 € |
| 500 | 2,26394 € | 1.131,97 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 1,84963 € | 5.548,89 € |
| Precio unitario sin IVA: | 4,85000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 5,86850 € |









