Name: IRF5305PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5305PBF-ND
Price: 1.7908 EUR
Availability: OutOfStock

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IRF5305PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF5305PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF5305PBF
Descripción	MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF5305PBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	31A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	60mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1200 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRF5305

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100	0,66210 €	66,21 €
500	0,51880 €	259,40 €
1.000	0,47376 €	473,76 €
2.000	0,46701 €	934,02 €
5.000	0,43900 €	2.195,00 €
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