Name: IMT65R260M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R260M1HXUMA1TR-ND
Price: 4.1987 EUR
Availability: OutOfStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IMT65R260M1HXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMT65R260M1HXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMT65R260M1HXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMT65R260M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMT65R260M1HXUMA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Montaje en superficie 650 V PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMT65R260M1HXUMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	-
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	-
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	-
Vgs (máx.)	-
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN