Name: ZXMN6A11GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A11GTR-ND
Price: 1.0164 EUR
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Carreras profesionales Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

(+34) 960 029 708 spain.support@digikey.com

ZXMN6A11GTA
N.º de producto de DigiKey	ZXMN6A11GTR-ND - Cinta y rollo (TR) ZXMN6A11GCT-ND - Cinta cortada (CT) ZXMN6A11GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	ZXMN6A11GTA
Descripción	MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 3.1A (Ta) 2W (Ta) SOT-223-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ZXMN6A11GTA Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	120mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	330 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	ZXMN6

Precio unitario sin IVA:	0,84000 €
Precio unitario con IVA:	1,01640 €

ZXMN6A11GTA