Name: DMN2992UFB4Q-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2992UFB4Q-7BTR-ND
Price: 0.2299 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN2992UFB4-7B

Diodes Incorporated

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DMN2992UFB4Q-7B
N.º de producto de DigiKey	31-DMN2992UFB4Q-7BTR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMN2992UFB4Q-7BCT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMN2992UFB4Q-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN2992UFB4Q-7B
Descripción	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 830mA (Ta) 380mW (Ta) X2-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	830mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	990mOhm a 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.41 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	15.6 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	380mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	DMN2992

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	0,19000 €	0,19 €
10	0,11300 €	1,13 €
100	0,05080 €	5,08 €
500	0,04684 €	23,42 €
1.000	0,03852 €	38,52 €
2.000	0,03577 €	71,54 €
5.000	0,03301 €	165,05 €